RF Millimétrique et optique intégrée

Intégration hétérogène III-V sur silicium pour la convergence photonique/électronique

Amphi M001

Xavier Letartre (INL)

Caractérisation des composants silicium en gamme de fréquence millimétrique.

Amphi M001

Christophe Gaquière (IEMN)

Pause café + Session poster

Hall d'accueil

Technologie et caractérisation

Amphi M001

Présentation orale des travaux

› Photodiodes PIN intégrées en Germanium sur Silicium - Leopold Virot, IEF et LETI 10:30-10:50 (20min)

› Caracterisation d'une photodiode germanium jusque 110 GHz en technologie silicium - Sandrine Oeuvrard, IEMN, STM et Dolphin Integration 10:50-11:10 (20min)

› Etude du silicium poreux comme substrats pour dispositifs RF - Marie Capelle, GREMAN et STM 11:10-11:30 (20min)

› Module Wireless 60 GHz intégré en 3D sur Silicium - Ossama El Bouayadi, LETI et IMEP-LAHC 11:30-11:50 (20min)

Cloture des journées thématiques

Déjeuner